2025年7月21日，截至收盤(pán)，滬指漲0.72%，報(bào)收3559.79點(diǎn)；深成指漲0.86%，報(bào)收11007.49點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指漲0.87%，報(bào)收2296.88點(diǎn)?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跌0.20%。半導(dǎo)體材料ETF（562590）跌0.09%。

隔夜外盤(pán)：截至收盤(pán)，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.04%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.14%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)漲0.38%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲0.12%，美光科技跌1.01%，ARM漲3.30%，恩智浦半導(dǎo)體漲1.05%，微芯科技跌1.24%，應(yīng)用材料漲1.14%。

行業(yè)資訊：

1.7月21日，八億時(shí)空在浙江上虞電子材料基地舉辦高端半導(dǎo)體光刻膠樹(shù)脂產(chǎn)線建成儀式，由八億時(shí)空投建的國(guó)內(nèi)首條百?lài)嵓?jí)半導(dǎo)體KrF光刻膠樹(shù)脂高自動(dòng)化柔性/量產(chǎn)雙產(chǎn)線建成，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)營(yíng)收規(guī)模超億元。八億時(shí)空董事長(zhǎng)趙雷表示，公司將依據(jù)市場(chǎng)情況逐步擴(kuò)產(chǎn)能，計(jì)劃未來(lái)五年具備年產(chǎn)200—300噸高端光刻膠樹(shù)脂的生產(chǎn)能力。

2.科創(chuàng)板將于本周二（7月22日）迎來(lái)開(kāi)市六周年。作為資本市場(chǎng)注冊(cè)制改革的起點(diǎn)與承載科技強(qiáng)國(guó)使命的板塊，科創(chuàng)板“硬科技”濃度高，從一級(jí)行業(yè)來(lái)看，科創(chuàng)板電子權(quán)重占比44%為最高，其中尤以半導(dǎo)體企業(yè)的數(shù)量最多，在AI產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的背景下，科創(chuàng)板的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展進(jìn)程備受市場(chǎng)關(guān)注。六年來(lái)，科創(chuàng)板半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)全鏈突破，國(guó)產(chǎn)替代縱深推進(jìn)上市公司的產(chǎn)品從最初的“可用”邁向“好用”，站在新一輪半導(dǎo)體周期中，AI產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體公司發(fā)展帶來(lái)的機(jī)遇備受市場(chǎng)關(guān)注。

國(guó)金證券指出，重點(diǎn)關(guān)注業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)持續(xù)性強(qiáng)的公司、AI-PCB及算力硬件、半導(dǎo)體自主可控、蘋(píng)果鏈及AI驅(qū)動(dòng)受益產(chǎn)業(yè)鏈。AI-PCB迎來(lái)需求共振，目前多家AI-PCB公司訂單強(qiáng)勁，滿(mǎn)產(chǎn)滿(mǎn)銷(xiāo)，正在大力擴(kuò)產(chǎn)，下半年業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)有望持續(xù)。AI覆銅板也需求旺盛，隨著英偉達(dá)GB200及ASIC的放量，AI服務(wù)器及交換機(jī)大量轉(zhuǎn)向采用M8材料，未來(lái)有望采用M9材料，由于海外AI覆銅板擴(kuò)產(chǎn)緩慢，覆銅板龍頭廠商有望積極受益，看好核心受益公司。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356、C類(lèi)：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。